三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段 日期： 2026-01-31 13:44 栏目：5G通讯 浏览： 《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。 (TheElec) 标签： 上一篇：我国科学家成功研制“纤维芯片” 下一篇：先进动力装备智能制造技术重点实验室 2026年度开放课题申报 相关推荐 Panmnesia将于2026H2量产全球唯一全功能CXL 3.2 Switch芯片 提速4.6倍！NVIDIA×港大×MIT联手重新定义扩散模型训练速度上限 马斯克：AI6、AI6.5将分别应用三星电子和台积电在美2nm产能 三星电子加速HBM4E研发，拟向英伟达送样
