三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片 日期： 2026-01-31 13:44 栏目：5G通讯 浏览： 《科创板日报》21日讯，三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片，其于此前已将4nm制程应用于HBM4（第六代HBM）的逻辑芯片，该产品预计将于今年投入商业化生产。 (ZDNet) 标签： 上一篇：三星电子将在下代芯片中采用混合键合技术NAND 下一篇：据称三星正推进 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开发 相关推荐 光计算技术突破：曦智科技如何在AI芯片挑战中实现转型 全国产全加固AI高算力模组实现全行业交付 Groq 3 LPX芯片出货量激增，富士康产能全面升级 IOTE 2026物联网展聚焦RFID智能设备创新应用
