三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片 日期: 2026-01-31 13:44 栏目:5G通讯 浏览: 《科创板日报》21日讯,三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片,其于此前已将4nm制程应用于HBM4(第六代HBM)的逻辑芯片,该产品预计将于今年投入商业化生产。 (ZDNet) 标签: 上一篇:三星电子将在下代芯片中采用混合键合技术NAND 下一篇:据称三星正推进 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开发 相关推荐 Panmnesia将于2026H2量产全球唯一全功能CXL 3.2 Switch芯片 提速4.6倍!NVIDIA×港大×MIT联手重新定义扩散模型训练速度上限 马斯克:AI6、AI6.5将分别应用三星电子和台积电在美2nm产能 三星电子加速HBM4E研发,拟向英伟达送样